| Numero di parte | JANTX2N3029 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Voltaggio - Off State | 1000V |
| Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max) | 800mV |
| Corrente - Gate Trigger (Igt) (Max) | 200µA |
| Voltage - On State (Vtm) (Max) | 1.5V |
| Corrente - On State (It (AV)) (Max) | - |
| Corrente - On State (It (RMS)) (Max) | 250mA |
| Corrente - Attesa (Ih) (Max) | 5mA |
| Corrente - Off Stato (max) | 100nA |
| Corrente - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm) | 5A, 8A |
| SCR Type | Sensitive Gate |
| temperatura di esercizio | -65°C ~ 150°C |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / caso | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-18 |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
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JANTX1N1184 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 35A DO5 | Dettagli |
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JANTX1N1184R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 35A DO203AB | Dettagli |
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JANTX1N1186 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 35A DO5 | Dettagli |
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JANTX1N1186R | Microsemi Corporation | SILICON RECTIFIER | Dettagli |
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JANTX1N1188R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB | Dettagli |
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JANTX1N1190 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 35A DO5 | Dettagli |
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JANTX1N1190R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 35A DO5 | Dettagli |
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JANTX1N1202A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA | Dettagli |
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JANTX1N1202AR | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA | Dettagli |
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JANTX1N1204A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA | Dettagli |
