| Número de pieza | JANTX2N3029 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Voltaje - Estado apagado | 1000V |
| Voltaje - Disparador de puerta (Vgt) (Máx) | 800mV |
| Current - Gate Trigger (Igt) (Max) | 200µA |
| Voltaje - En estado (Vtm) (Máx) | 1.5V |
| Actual - En estado (It (AV)) (Máx) | - |
| Actual - En estado (It (RMS)) (Max) | 250mA |
| Current - Hold (Ih) (Max) | 5mA |
| Current - Off State (Max) | 100nA |
| Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm) | 5A, 8A |
| Tipo de SCR | Sensitive Gate |
| Temperatura de funcionamiento | -65°C ~ 150°C |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete / caja | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-18 |
| Peso | - |
| País de origen | - |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
|---|---|---|---|---|
 |
JANTX1N1184 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 35A DO5 | Detalles |
|
JANTX1N1184R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 35A DO203AB | Detalles |
|
JANTX1N1186 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 35A DO5 | Detalles |
|
JANTX1N1186R | Microsemi Corporation | SILICON RECTIFIER | Detalles |
|
JANTX1N1188R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB | Detalles |
 |
JANTX1N1190 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 35A DO5 | Detalles |
 |
JANTX1N1190R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 35A DO5 | Detalles |
 |
JANTX1N1202A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA | Detalles |
|
JANTX1N1202AR | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA | Detalles |
 |
JANTX1N1204A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA | Detalles |
