| номер части | IPD65R420CFDATMA2 |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип полевого транзистора | - |
| Технологии | - |
| Слив к источнику напряжения (Vdss) | - |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | - |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | - |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | - |
| Vgs (Макс.) | - |
| Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | - |
| Функция FET | - |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | - |
| Рабочая Температура | - |
| Тип монтажа | - |
| Пакет устройств поставщика | - |
| Упаковка / чехол | - |
| Вес | - |
| Страна происхождения | - |
| Образ | номер части | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
 |
IPD65R190C7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 13A TO-252 | подробности |
|
IPD65R1K0CEAUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V TO-252 | подробности |
|
IPD65R1K4C6ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO252-3 | подробности |
|
IPD65R1K4CFDATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 2.8A TO-252 | подробности |
|
IPD65R1K4CFDATMA2 | Infineon Technologies | LOW POWERLEGACY | подробности |
|
IPD65R1K4CFDBTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 2.8A TO-252 | подробности |
|
IPD65R1K5CEAUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO-252-3 | подробности |
|
IPD65R225C7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 11A TO252-3 | подробности |
|
IPD65R250C6XTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 16.1A TO-252 | подробности |
|
IPD65R250E6XTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO252-3 | подробности |
