| номер части | IPD65R1K4CFDBTMA1 |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Слив к источнику напряжения (Vdss) | 650V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 2.8A (Tc) |
| Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 100µA |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 10nC @ 10V |
| Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | 262pF @ 100V |
| Vgs (Макс.) | ±20V |
| Функция FET | - |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 28.4W (Tc) |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | 1.4 Ohm @ 1A, 10V |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Пакет устройств поставщика | PG-TO252-3 |
| Упаковка / чехол | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Вес | - |
| Страна происхождения | - |
| Образ | номер части | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
|
IPD65R190C7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 13A TO-252 | подробности |
|
IPD65R1K0CEAUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V TO-252 | подробности |
|
IPD65R1K4C6ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO252-3 | подробности |
|
IPD65R1K4CFDATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 2.8A TO-252 | подробности |
 |
IPD65R1K4CFDATMA2 | Infineon Technologies | LOW POWERLEGACY | подробности |
|
IPD65R1K4CFDBTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 2.8A TO-252 | подробности |
|
IPD65R1K5CEAUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO-252-3 | подробности |
|
IPD65R225C7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 11A TO252-3 | подробности |
|
IPD65R250C6XTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 16.1A TO-252 | подробности |
|
IPD65R250E6XTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO252-3 | подробности |
