IPD65R190C7ATMA1 Подробное описание
номер части |
IPD65R190C7ATMA1 |
Статус детали |
Active |
Тип полевого транзистора |
N-Channel |
Технологии |
MOSFET (Metal Oxide) |
Слив к источнику напряжения (Vdss) |
650V |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C |
13A (Tc) |
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) |
10V |
Vgs (th) (Max) @ Id |
4V @ 290µA |
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs |
23nC @ 10V |
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds |
1150pF @ 400V |
Vgs (Макс.) |
±20V |
Функция FET |
- |
Рассеиваемая мощность (макс.) |
72W (Tc) |
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs |
190 mOhm @ 5.7A, 10V |
Рабочая Температура |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
Тип монтажа |
Surface Mount |
Пакет устройств поставщика |
PG-TO252-3 |
Упаковка / чехол |
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Вес |
- |
Страна происхождения |
- |
СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ IPD65R190C7ATMA1