IPD65R190C7ATMA1

IPD65R190C7ATMA1 - Infineon Technologies

номер части
IPD65R190C7ATMA1
производитель
Infineon Technologies
Краткое описание
MOSFET N-CH 650V 13A TO-252
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Онлайн-просмотр данных
IPD65R190C7ATMA1 Просмотр PDF в Интернете
Скачать PDF-файл
IPD65R190C7ATMA1.pdf
категория
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
Срок поставки
1 Day
Код даты
New
Количество на складе
17939 pcs
Справочная цена
USD 1.4497/pcs
Наша цена
Отправить по электронной почте: [email protected]

Пожалуйста, заполните форму ниже, чтобы запросить котировку IPD65R190C7ATMA1

IPD65R190C7ATMA1 Подробное описание

номер части IPD65R190C7ATMA1
Статус детали Active
Тип полевого транзистора N-Channel
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) 650V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 13A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 290µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 23nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds 1150pF @ 400V
Vgs (Макс.) ±20V
Функция FET -
Рассеиваемая мощность (макс.) 72W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs 190 mOhm @ 5.7A, 10V
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа Surface Mount
Пакет устройств поставщика PG-TO252-3
Упаковка / чехол TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Вес -
Страна происхождения -

СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ IPD65R190C7ATMA1