| Numero di parte | IPD65R420CFDATMA2 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | - |
| Tecnologia | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | - |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | - |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Vgs (massimo) | - |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | - |
| temperatura di esercizio | - |
| Tipo di montaggio | - |
| Pacchetto dispositivo fornitore | - |
| Pacchetto / caso | - |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
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IPD65R190C7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 13A TO-252 | Dettagli |
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IPD65R1K0CEAUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V TO-252 | Dettagli |
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IPD65R1K4C6ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO252-3 | Dettagli |
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IPD65R1K4CFDATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 2.8A TO-252 | Dettagli |
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IPD65R1K4CFDATMA2 | Infineon Technologies | LOW POWERLEGACY | Dettagli |
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IPD65R1K4CFDBTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 2.8A TO-252 | Dettagli |
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IPD65R1K5CEAUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO-252-3 | Dettagli |
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IPD65R225C7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 11A TO252-3 | Dettagli |
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IPD65R250C6XTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 16.1A TO-252 | Dettagli |
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IPD65R250E6XTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO252-3 | Dettagli |
