| Numéro d'article | IPD65R420CFDATMA2 |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| FET Type | - |
| La technologie | - |
| Drain à la tension de source (Vdss) | - |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | - |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Vgs (Max) | - |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| FET Caractéristique | - |
| Dissipation de puissance (Max) | - |
| Température de fonctionnement | - |
| Type de montage | - |
| Package de périphérique fournisseur | - |
| Paquet / cas | - |
| Poids | - |
| Pays d'origine | - |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | Vue |
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IPD65R190C7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 13A TO-252 | Détails |
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IPD65R1K0CEAUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V TO-252 | Détails |
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IPD65R1K4C6ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO252-3 | Détails |
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IPD65R1K4CFDATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 2.8A TO-252 | Détails |
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IPD65R1K4CFDATMA2 | Infineon Technologies | LOW POWERLEGACY | Détails |
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IPD65R1K4CFDBTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 2.8A TO-252 | Détails |
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IPD65R1K5CEAUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO-252-3 | Détails |
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IPD65R225C7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 11A TO252-3 | Détails |
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IPD65R250C6XTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 16.1A TO-252 | Détails |
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IPD65R250E6XTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO252-3 | Détails |
