• русский
      Language Translation
    • English
    • Deutschl
    • Italia
    • France
    • España
    • 대한민국
    • 日本语
    • русский
Главная › Категории продукта › Дискретный полупроводник › Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные › IPB60R125CPATMA1
IPB60R125CPATMA1

IPB60R125CPATMA1 - Infineon Technologies

номер части
IPB60R125CPATMA1
производитель
Infineon Technologies
Краткое описание
MOSFET N-CH 600V 25A TO263
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Онлайн-просмотр данных
IPB60R125CPATMA1 Просмотр PDF в Интернете
Скачать PDF-файл
-
категория
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
Срок поставки
1 Day
Код даты
New
Количество на складе
48620 pcs
Справочная цена
USD 3.38631/pcs
Наша цена
Отправить по электронной почте: [email protected]

Пожалуйста, заполните форму ниже, чтобы запросить котировку IPB60R125CPATMA1

IPB60R125CPATMA1 Подробное описание

номер части IPB60R125CPATMA1
Статус детали Not For New Designs
Тип полевого транзистора N-Channel
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) 600V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 25A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs 125 mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 1.1mA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 70nC @ 10V
Vgs (Макс.) ±20V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds 2500pF @ 100V
Функция FET -
Рассеиваемая мощность (макс.) 208W (Tc)
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа Surface Mount
Пакет устройств поставщика PG-TO263-3-2
Упаковка / чехол TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Вес -
Страна происхождения -

СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ IPB60R125CPATMA1

Образ номер части Производители Описание Посмотреть
IPB60R040C7ATMA1 IPB60R040C7ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V TO263-3 подробности
IPB60R060C7ATMA1 IPB60R060C7ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V TO263-3 подробности
IPB60R060P7ATMA1 IPB60R060P7ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH TO263-3 подробности
IPB60R080P7ATMA1 IPB60R080P7ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH TO263-3 подробности
IPB60R099C6 IPB60R099C6 Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V 37.9A TO263 подробности
IPB60R099C6ATMA1 IPB60R099C6ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V 37.9A TO263 подробности
IPB60R099C7ATMA1 IPB60R099C7ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V TO263-3 подробности
IPB60R099CP IPB60R099CP Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V 31A D2PAK подробности
IPB60R099CPAATMA1 IPB60R099CPAATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V 31A TO263-3 подробности
IPB60R099CPATMA1 IPB60R099CPATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V 31A D2PAK подробности