IPB60R125CPATMA1

IPB60R125CPATMA1 - Infineon Technologies

Artikelnummer
IPB60R125CPATMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 25A TO263
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
48620 pcs
Referenzpreis
USD 3.38631/pcs
Unser Preis
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IPB60R125CPATMA1 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer IPB60R125CPATMA1
Teilstatus Not For New Designs
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 600V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 25A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 125 mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 1.1mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 70nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2500pF @ 100V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 208W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PG-TO263-3-2
Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gewicht -
Ursprungsland -

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