| Numero di parte | IPB60R125CPATMA1 |
|---|---|
| Stato parte | Not For New Designs |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 25A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 125 mOhm @ 16A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 1.1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 70nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2500pF @ 100V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 208W (Tc) |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO263-3-2 |
| Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
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IPB60R040C7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V TO263-3 | Dettagli |
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IPB60R060C7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V TO263-3 | Dettagli |
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IPB60R060P7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO263-3 | Dettagli |
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IPB60R080P7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO263-3 | Dettagli |
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IPB60R099C6 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 37.9A TO263 | Dettagli |
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IPB60R099C6ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 37.9A TO263 | Dettagli |
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IPB60R099C7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V TO263-3 | Dettagli |
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IPB60R099CP | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 31A D2PAK | Dettagli |
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IPB60R099CPAATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 31A TO263-3 | Dettagli |
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IPB60R099CPATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 31A D2PAK | Dettagli |
