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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - FET, MOSFET - Singoli › IPB60R060P7ATMA1
IPB60R060P7ATMA1

IPB60R060P7ATMA1 - Infineon Technologies

Numero di parte
IPB60R060P7ATMA1
fabbricante
Infineon Technologies
Breve descrizione
MOSFET N-CH TO263-3
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
IPB60R060P7ATMA1 Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica
-
Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
44335 pcs
Prezzo di riferimento
USD 3.71371/pcs
Il nostro prezzo
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IPB60R060P7ATMA1 Descrizione dettagliata

Numero di parte IPB60R060P7ATMA1
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 48A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60 mOhm @ 15.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 800µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 67nC @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2895pF @ 400V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 164W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore D²PAK (TO-263AB)
Pacchetto / caso TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Peso -
Paese d'origine -

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