• Deutschl
      Language Translation
    • English
    • Deutschl
    • Italia
    • France
    • España
    • 대한민국
    • 日本语
    • русский
Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln › IPB60R099C6ATMA1
IPB60R099C6ATMA1

IPB60R099C6ATMA1 - Infineon Technologies

Artikelnummer
IPB60R099C6ATMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 37.9A TO263
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
IPB60R099C6ATMA1 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
48270 pcs
Referenzpreis
USD 3.41095/pcs
Unser Preis
Senden Sie per E-Mail: [email protected]

Bitte füllen Sie das folgende Formular aus, um ein Angebot für anzufordern IPB60R099C6ATMA1

IPB60R099C6ATMA1 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer IPB60R099C6ATMA1
Teilstatus Not For New Designs
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 600V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 37.9A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 99 mOhm @ 18.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 1.21mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 119nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2660pF @ 100V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 278W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket D²PAK (TO-263AB)
Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gewicht -
Ursprungsland -

VERWANDTE PRODUKTE FÜR IPB60R099C6ATMA1

Bild Artikelnummer Hersteller Beschreibung Aussicht
IPB60R040C7ATMA1 IPB60R040C7ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V TO263-3 Einzelheiten
IPB60R060C7ATMA1 IPB60R060C7ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V TO263-3 Einzelheiten
IPB60R060P7ATMA1 IPB60R060P7ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH TO263-3 Einzelheiten
IPB60R080P7ATMA1 IPB60R080P7ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH TO263-3 Einzelheiten
IPB60R099C6 IPB60R099C6 Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V 37.9A TO263 Einzelheiten
IPB60R099C6ATMA1 IPB60R099C6ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V 37.9A TO263 Einzelheiten
IPB60R099C7ATMA1 IPB60R099C7ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V TO263-3 Einzelheiten
IPB60R099CP IPB60R099CP Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V 31A D2PAK Einzelheiten
IPB60R099CPAATMA1 IPB60R099CPAATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V 31A TO263-3 Einzelheiten
IPB60R099CPATMA1 IPB60R099CPATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V 31A D2PAK Einzelheiten