| номер части | IPB60R080P7ATMA1 |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Слив к источнику напряжения (Vdss) | 650V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 37A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | 80 mOhm @ 11.8A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 590µA |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 51nC @ 10V |
| Vgs (Макс.) | ±20V |
| Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | 2180pF @ 400V |
| Функция FET | - |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 129W (Tc) |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Пакет устройств поставщика | D²PAK (TO-263AB) |
| Упаковка / чехол | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Вес | - |
| Страна происхождения | - |
| Образ | номер части | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
 |
IPB60R040C7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V TO263-3 | подробности |
|
IPB60R060C7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V TO263-3 | подробности |
|
IPB60R060P7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO263-3 | подробности |
|
IPB60R080P7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO263-3 | подробности |
|
IPB60R099C6 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 37.9A TO263 | подробности |
|
IPB60R099C6ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 37.9A TO263 | подробности |
|
IPB60R099C7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V TO263-3 | подробности |
|
IPB60R099CP | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 31A D2PAK | подробности |
|
IPB60R099CPAATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 31A TO263-3 | подробности |
|
IPB60R099CPATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 31A D2PAK | подробности |
