| номер части | IPB60R040C7ATMA1 |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Слив к источнику напряжения (Vdss) | 650V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 50A (Tc) |
| Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1.24mA |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 107nC @ 10V |
| Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | 4340pF @ 400V |
| Vgs (Макс.) | ±20V |
| Функция FET | - |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 227W (Tc) |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | 40 mOhm @ 24.9A, 10V |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Пакет устройств поставщика | PG-TO263-3 |
| Упаковка / чехол | TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA |
| Вес | - |
| Страна происхождения | - |
| Образ | номер части | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
|
IPB60R040C7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V TO263-3 | подробности |
|
IPB60R060C7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V TO263-3 | подробности |
 |
IPB60R060P7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO263-3 | подробности |
|
IPB60R080P7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO263-3 | подробности |
|
IPB60R099C6 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 37.9A TO263 | подробности |
|
IPB60R099C6ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 37.9A TO263 | подробности |
|
IPB60R099C7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V TO263-3 | подробности |
|
IPB60R099CP | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 31A D2PAK | подробности |
|
IPB60R099CPAATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 31A TO263-3 | подробности |
|
IPB60R099CPATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 31A D2PAK | подробности |
