IPB600N25N3 G - Infineon Technologies

номер части	IPB600N25N3 G
Статус детали	Active
Тип полевого транзистора	N-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	250V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	25A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 90µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	29nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	2350pF @ 100V
Vgs (Макс.)	±20V
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	136W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	60 mOhm @ 25A, 10V
Рабочая Температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	PG-TO263-2
Упаковка / чехол	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
IPB600N25N3 G	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 250V 25A TO263-3	подробности
IPB600N25N3GATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 250V 25A TO263-3	подробности
IPB60R040C7ATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 600V TO263-3	подробности
IPB60R060C7ATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 600V TO263-3	подробности
IPB60R060P7ATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH TO263-3	подробности
IPB60R080P7ATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH TO263-3	подробности
IPB60R099C6	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 600V 37.9A TO263	подробности
IPB60R099C6ATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 600V 37.9A TO263	подробности
IPB60R099C7ATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 600V TO263-3	подробности
IPB60R099CP	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 600V 31A D2PAK	подробности