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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln › IPB600N25N3 G
IPB600N25N3 G

IPB600N25N3 G - Infineon Technologies

Artikelnummer
IPB600N25N3 G
Hersteller
Infineon Technologies
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 250V 25A TO263-3
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
IPB600N25N3 G PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
5000 pcs
Referenzpreis
USD 1.3285/pcs
Unser Preis
Senden Sie per E-Mail: [email protected]

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IPB600N25N3 G detaillierte Beschreibung

Artikelnummer IPB600N25N3 G
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 250V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 25A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 90µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 29nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2350pF @ 100V
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 136W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 60 mOhm @ 25A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PG-TO263-2
Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gewicht -
Ursprungsland -

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Bild Artikelnummer Hersteller Beschreibung Aussicht
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