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Accueil › catégories de produits › Produits à semiconducteurs discrets › Transistors - FET, MOSFET - Simples › IPB600N25N3 G
IPB600N25N3 G

IPB600N25N3 G - Infineon Technologies

Numéro d'article
IPB600N25N3 G
Fabricant
Infineon Technologies
Brève description
MOSFET N-CH 250V 25A TO263-3
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
IPB600N25N3 G Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
-
Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
5000 pcs
Prix ​​de référence
USD 1.3285/pcs
Notre prix
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IPB600N25N3 G Description détaillée

Numéro d'article IPB600N25N3 G
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 250V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 25A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 90µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 29nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2350pF @ 100V
Vgs (Max) ±20V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60 mOhm @ 25A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur PG-TO263-2
Paquet / cas TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Poids -
Pays d'origine -

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