GSID100A120T2C1

GSID100A120T2C1 - Global Power Technologies Group

номер части
GSID100A120T2C1
производитель
Global Power Technologies Group
Краткое описание
SILICON IGBT MODULES
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Онлайн-просмотр данных
GSID100A120T2C1 Просмотр PDF в Интернете
Скачать PDF-файл
GSID100A120T2C1.pdf
категория
Транзисторы - IGBT - Модули
Срок поставки
1 Day
Код даты
New
Количество на складе
215 pcs
Справочная цена
USD 122.6567/pcs
Наша цена
Отправить по электронной почте: [email protected]

Пожалуйста, заполните форму ниже, чтобы запросить котировку GSID100A120T2C1

GSID100A120T2C1 Подробное описание

номер части GSID100A120T2C1
Статус детали Active
Тип IGBT -
конфигурация Three Phase Inverter
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.) 1200V
Ток - коллектор (Ic) (макс.) 200A
Мощность - макс. 640W
Vce (вкл.) (Макс.) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 100A
Ток - отсечка коллектора (макс.) 1mA
Входная емкость (Cies) @ Vce 13.7nF @ 25V
вход Three Phase Bridge Rectifier
Термистор NTC Yes
Рабочая Температура -40°C ~ 150°C
Тип монтажа Chassis Mount
Упаковка / чехол Module
Пакет устройств поставщика Module
Вес -
Страна происхождения -

СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ GSID100A120T2C1