| номер части | GSID150A120S6A4 |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип IGBT | - |
| конфигурация | Single |
| Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.) | 1200V |
| Ток - коллектор (Ic) (макс.) | 275A |
| Мощность - макс. | 1035W |
| Vce (вкл.) (Макс.) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 150A |
| Ток - отсечка коллектора (макс.) | 1mA |
| Входная емкость (Cies) @ Vce | 20.2nF @ 25V |
| вход | Standard |
| Термистор NTC | Yes |
| Рабочая Температура | -40°C ~ 150°C |
| Тип монтажа | Chassis Mount |
| Упаковка / чехол | Module |
| Пакет устройств поставщика | Module |
| Вес | - |
| Страна происхождения | - |
| Образ | номер части | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
 |
GSID100A120S5C1 | Global Power Technologies Group | IGBT MODULE 1200V 170A | подробности |
|
GSID100A120T2C1 | Global Power Technologies Group | SILICON IGBT MODULES | подробности |
|
GSID100A120T2C1A | Global Power Technologies Group | SILICON IGBT MODULES | подробности |
|
GSID100A120T2P2 | Global Power Technologies Group | SILICON IGBT MODULES | подробности |
|
GSID150A120S3B1 | Global Power Technologies Group | SILICON IGBT MODULES | подробности |
|
GSID150A120S5C1 | Global Power Technologies Group | IGBT MODULE 1200V 285A | подробности |
|
GSID150A120S6A4 | Global Power Technologies Group | SILICON IGBT MODULES | подробности |
|
GSID150A120T2C1 | Global Power Technologies Group | SILICON IGBT MODULES | подробности |
