• 대한민국
      Language Translation
    • English
    • Deutschl
    • Italia
    • France
    • España
    • 대한민국
    • 日本语
    • русский
집 › 제품 카테고리 › 이산 소자 반도체 제품 › 트랜지스터 - IGBT - 모듈 › GSID150A120S6A4
GSID150A120S6A4

GSID150A120S6A4 - Global Power Technologies Group

부품 번호
GSID150A120S6A4
제조사
Global Power Technologies Group
간단한 설명
SILICON IGBT MODULES
무연 여부 / RoHS 준수 여부
무연 / RoHS 준수
온라인 데이터 시트
GSID150A120S6A4 PDF 온라인 브라우징
데이터 시트 PDF 다운로드
GSID150A120S6A4.pdf
범주
트랜지스터 - IGBT - 모듈
배달 시간
1 Day
날짜 코드
New
재고 수량
243 pcs
참고 가격
USD 108.51/pcs
우리의 가격
이메일로 보내기 : [email protected]

에 대한 견적을 요청하려면 아래 양식을 작성하십시오 GSID150A120S6A4

GSID150A120S6A4 상세 설명

부품 번호 GSID150A120S6A4
부품 상태 Active
IGBT 형 -
구성 Single
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) 1200V
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) 275A
전력 - 최대 1035W
VCE (on) (최대) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 150A
전류 - 콜렉터 차단 (최대) 1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce 20.2nF @ 25V
입력 Standard
NTC 서미스터 Yes
작동 온도 -40°C ~ 150°C
실장 형 Chassis Mount
패키지 / 케이스 Module
공급 업체 장치 패키지 Module
무게 -
원산지 -

관련 제품 GSID150A120S6A4

영상 부품 번호 제조사 기술 전망
GSID100A120S5C1 GSID100A120S5C1 Global Power Technologies Group IGBT MODULE 1200V 170A 세부
GSID100A120T2C1 GSID100A120T2C1 Global Power Technologies Group SILICON IGBT MODULES 세부
GSID100A120T2C1A GSID100A120T2C1A Global Power Technologies Group SILICON IGBT MODULES 세부
GSID100A120T2P2 GSID100A120T2P2 Global Power Technologies Group SILICON IGBT MODULES 세부
GSID150A120S3B1 GSID150A120S3B1 Global Power Technologies Group SILICON IGBT MODULES 세부
GSID150A120S5C1 GSID150A120S5C1 Global Power Technologies Group IGBT MODULE 1200V 285A 세부
GSID150A120S6A4 GSID150A120S6A4 Global Power Technologies Group SILICON IGBT MODULES 세부
GSID150A120T2C1 GSID150A120T2C1 Global Power Technologies Group SILICON IGBT MODULES 세부