| 부품 번호 | GSID150A120T2C1 |
|---|---|
| 부품 상태 | Active |
| IGBT 형 | - |
| 구성 | Three Phase Inverter |
| 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) | 1200V |
| 전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) | 285A |
| 전력 - 최대 | 1087W |
| VCE (on) (최대) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 150A |
| 전류 - 콜렉터 차단 (최대) | 1mA |
| 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce | 21.2nF @ 25V |
| 입력 | Three Phase Bridge Rectifier |
| NTC 서미스터 | Yes |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C |
| 실장 형 | Chassis Mount |
| 패키지 / 케이스 | Module |
| 공급 업체 장치 패키지 | Module |
| 무게 | - |
| 원산지 | - |
| 영상 | 부품 번호 | 제조사 | 기술 | 전망 |
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GSID100A120S5C1 | Global Power Technologies Group | IGBT MODULE 1200V 170A | 세부 |
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GSID100A120T2C1 | Global Power Technologies Group | SILICON IGBT MODULES | 세부 |
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GSID100A120T2C1A | Global Power Technologies Group | SILICON IGBT MODULES | 세부 |
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GSID100A120T2P2 | Global Power Technologies Group | SILICON IGBT MODULES | 세부 |
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GSID150A120S3B1 | Global Power Technologies Group | SILICON IGBT MODULES | 세부 |
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GSID150A120S5C1 | Global Power Technologies Group | IGBT MODULE 1200V 285A | 세부 |
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GSID150A120S6A4 | Global Power Technologies Group | SILICON IGBT MODULES | 세부 |
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GSID150A120T2C1 | Global Power Technologies Group | SILICON IGBT MODULES | 세부 |
