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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - IGBT - モジュール › GSID150A120T2C1
GSID150A120T2C1

GSID150A120T2C1 - Global Power Technologies Group

品番
GSID150A120T2C1
メーカー
Global Power Technologies Group
簡単な説明
SILICON IGBT MODULES
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
GSID150A120T2C1 PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
GSID150A120T2C1.pdf
カテゴリー
トランジスタ - IGBT - モジュール
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
166 pcs
参考価格
USD 156.1767/pcs
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GSID150A120T2C1 詳細な説明

品番 GSID150A120T2C1
部品ステータス Active
IGBTタイプ -
構成 Three Phase Inverter
電圧 - コレクタエミッタ破壊（最大） 1200V
電流 - コレクタ（Ic）（最大） 285A
電力 - 最大 1087W
Vce（on）（Max）@ Vge、Ic 2.1V @ 15V, 150A
電流 - コレクタ遮断（最大） 1mA
入力容量（Cies）@ Vce 21.2nF @ 25V
入力 Three Phase Bridge Rectifier
NTCサーミスタ Yes
動作温度 -40°C ~ 150°C
取付タイプ Chassis Mount
パッケージ/ケース Module
サプライヤデバイスパッケージ Module
重量 -
原産国 -

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