GSID150A120T2C1

GSID150A120T2C1 - Global Power Technologies Group

Número de pieza
GSID150A120T2C1
Fabricante
Global Power Technologies Group
Breve descripción
SILICON IGBT MODULES
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría
Transistores - IGBT - Módulos
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
163 pcs
Precio de referencia
USD 156.1767/pcs
Nuestro precio
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GSID150A120T2C1 Descripción detallada

Número de pieza GSID150A120T2C1
Estado de la pieza Active
Tipo de IGBT -
Configuración Three Phase Inverter
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) 1200V
Current - Collector (Ic) (Max) 285A
Potencia - Max 1087W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 150A
Corriente - corte de colector (máximo) 1mA
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce 21.2nF @ 25V
Entrada Three Phase Bridge Rectifier
Termistor NTC Yes
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C
Tipo de montaje Chassis Mount
Paquete / caja Module
Paquete de dispositivo del proveedor Module
Peso -
País de origen -

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