GSID100A120T2C1A

GSID100A120T2C1A - Global Power Technologies Group

Número de pieza
GSID100A120T2C1A
Fabricante
Global Power Technologies Group
Breve descripción
SILICON IGBT MODULES
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría
Transistores - IGBT - Módulos
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
214 pcs
Precio de referencia
USD 122.6567/pcs
Nuestro precio
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GSID100A120T2C1A Descripción detallada

Número de pieza GSID100A120T2C1A
Estado de la pieza Active
Tipo de IGBT -
Configuración Three Phase Inverter
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) 1200V
Current - Collector (Ic) (Max) 200A
Potencia - Max 800W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 100A
Corriente - corte de colector (máximo) 1mA
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce 13.7nF @ 25V
Entrada Three Phase Bridge Rectifier
Termistor NTC Yes
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C
Tipo de montaje Chassis Mount
Paquete / caja Module
Paquete de dispositivo del proveedor Module
Peso -
País de origen -

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