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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - IGBT - Moduli › GSID150A120T2C1
GSID150A120T2C1

GSID150A120T2C1 - Global Power Technologies Group

Numero di parte
GSID150A120T2C1
fabbricante
Global Power Technologies Group
Breve descrizione
SILICON IGBT MODULES
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
GSID150A120T2C1 Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica
GSID150A120T2C1.pdf
Categoria
Transistor - IGBT - Moduli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
165 pcs
Prezzo di riferimento
USD 156.1767/pcs
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GSID150A120T2C1 Descrizione dettagliata

Numero di parte GSID150A120T2C1
Stato parte Active
Tipo IGBT -
Configurazione Three Phase Inverter
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Corrente - Collector (Ic) (Max) 285A
Potenza - Max 1087W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 150A
Corrente - Limite del collettore (max) 1mA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce 21.2nF @ 25V
Ingresso Three Phase Bridge Rectifier
Termistore NTC Yes
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C
Tipo di montaggio Chassis Mount
Pacchetto / caso Module
Pacchetto dispositivo fornitore Module
Peso -
Paese d'origine -

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