GSID100A120S5C1 - Global Power Technologies Group

номер части	GSID100A120S5C1
Статус детали	Active
Тип IGBT	-
конфигурация	Three Phase Inverter
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.)	1200V
Ток - коллектор (Ic) (макс.)	170A
Мощность - макс.	650W
Vce (вкл.) (Макс.) @ Vge, Ic	2.1V @ 15V, 100A
Ток - отсечка коллектора (макс.)	1mA
Входная емкость (Cies) @ Vce	13.7nF @ 25V
вход	Standard
Термистор NTC	Yes
Рабочая Температура	-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа	Chassis Mount
Упаковка / чехол	Module
Пакет устройств поставщика	Module
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
GSID100A120S5C1	Global Power Technologies Group	IGBT MODULE 1200V 170A	подробности
GSID100A120T2C1	Global Power Technologies Group	SILICON IGBT MODULES	подробности
GSID100A120T2C1A	Global Power Technologies Group	SILICON IGBT MODULES	подробности
GSID100A120T2P2	Global Power Technologies Group	SILICON IGBT MODULES	подробности
GSID150A120S3B1	Global Power Technologies Group	SILICON IGBT MODULES	подробности
GSID150A120S5C1	Global Power Technologies Group	IGBT MODULE 1200V 285A	подробности
GSID150A120S6A4	Global Power Technologies Group	SILICON IGBT MODULES	подробности
GSID150A120T2C1	Global Power Technologies Group	SILICON IGBT MODULES	подробности