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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - IGBTs - Module › GSID100A120T2C1
GSID100A120T2C1

GSID100A120T2C1 - Global Power Technologies Group

Artikelnummer
GSID100A120T2C1
Hersteller
Global Power Technologies Group
Kurze Beschreibung
SILICON IGBT MODULES
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
GSID100A120T2C1 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
GSID100A120T2C1.pdf
Kategorie
Transistoren - IGBTs - Module
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
214 pcs
Referenzpreis
USD 122.6567/pcs
Unser Preis
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GSID100A120T2C1 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer GSID100A120T2C1
Teilstatus Active
IGBT-Typ -
Aufbau Three Phase Inverter
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 1200V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 200A
Leistung max 640W
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 100A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 1mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce 13.7nF @ 25V
Eingang Three Phase Bridge Rectifier
NTC-Thermistor Yes
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C
Befestigungsart Chassis Mount
Paket / Fall Module
Lieferantengerätepaket Module
Gewicht -
Ursprungsland -

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