| Artikelnummer | GSID100A120T2P2 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| IGBT-Typ | - |
| Aufbau | Three Phase Inverter |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 1200V |
| Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 200A |
| Leistung max | 710W |
| Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 100A |
| Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) | 1mA |
| Eingangskapazität (Cies) @ Vce | 13.7nF @ 25V |
| Eingang | Three Phase Bridge Rectifier |
| NTC-Thermistor | Yes |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C |
| Befestigungsart | Chassis Mount |
| Paket / Fall | Module |
| Lieferantengerätepaket | Module |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
|---|---|---|---|---|
 |
GSID100A120S5C1 | Global Power Technologies Group | IGBT MODULE 1200V 170A | Einzelheiten |
|
GSID100A120T2C1 | Global Power Technologies Group | SILICON IGBT MODULES | Einzelheiten |
|
GSID100A120T2C1A | Global Power Technologies Group | SILICON IGBT MODULES | Einzelheiten |
|
GSID100A120T2P2 | Global Power Technologies Group | SILICON IGBT MODULES | Einzelheiten |
|
GSID150A120S3B1 | Global Power Technologies Group | SILICON IGBT MODULES | Einzelheiten |
|
GSID150A120S5C1 | Global Power Technologies Group | IGBT MODULE 1200V 285A | Einzelheiten |
|
GSID150A120S6A4 | Global Power Technologies Group | SILICON IGBT MODULES | Einzelheiten |
|
GSID150A120T2C1 | Global Power Technologies Group | SILICON IGBT MODULES | Einzelheiten |
