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Accueil › catégories de produits › Produits à semiconducteurs discrets › Transistors - IGBT - Modules › GSID100A120T2C1
GSID100A120T2C1

GSID100A120T2C1 - Global Power Technologies Group

Numéro d'article
GSID100A120T2C1
Fabricant
Global Power Technologies Group
Brève description
SILICON IGBT MODULES
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
GSID100A120T2C1 Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
GSID100A120T2C1.pdf
Catégorie
Transistors - IGBT - Modules
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
220 pcs
Prix ​​de référence
USD 122.6567/pcs
Notre prix
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GSID100A120T2C1 Description détaillée

Numéro d'article GSID100A120T2C1
État de la pièce Active
Type d'IGBT -
Configuration Three Phase Inverter
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 1200V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 200A
Puissance - Max 640W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 100A
Courant - Coupure du collecteur (Max) 1mA
Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce 13.7nF @ 25V
Contribution Three Phase Bridge Rectifier
Thermistance NTC Yes
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C
Type de montage Chassis Mount
Paquet / cas Module
Package de périphérique fournisseur Module
Poids -
Pays d'origine -

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