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Accueil › catégories de produits › Produits à semiconducteurs discrets › Transistors - IGBT - Modules › GSID150A120S3B1
GSID150A120S3B1

GSID150A120S3B1 - Global Power Technologies Group

Numéro d'article
GSID150A120S3B1
Fabricant
Global Power Technologies Group
Brève description
SILICON IGBT MODULES
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
GSID150A120S3B1 Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
GSID150A120S3B1.pdf
Catégorie
Transistors - IGBT - Modules
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
302 pcs
Prix ​​de référence
USD 86.7213/pcs
Notre prix
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GSID150A120S3B1 Description détaillée

Numéro d'article GSID150A120S3B1
État de la pièce Active
Type d'IGBT -
Configuration 2 Independent
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 1200V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 300A
Puissance - Max 940W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 150A
Courant - Coupure du collecteur (Max) 1mA
Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce 14nF @ 25V
Contribution Standard
Thermistance NTC No
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C
Type de montage Chassis Mount
Paquet / cas D-3 Module
Package de périphérique fournisseur D3
Poids -
Pays d'origine -

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