GP2M002A065HG

GP2M002A065HG - Global Power Technologies Group

номер части
GP2M002A065HG
производитель
Global Power Technologies Group
Краткое описание
MOSFET N-CH 650V 1.8A TO220
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Онлайн-просмотр данных
GP2M002A065HG Просмотр PDF в Интернете
Скачать PDF-файл
GP2M002A065HG.pdf
категория
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
Срок поставки
1 Day
Код даты
New
Количество на складе
3950 pcs
Справочная цена
USD 0/pcs
Наша цена
Отправить по электронной почте: [email protected]

Пожалуйста, заполните форму ниже, чтобы запросить котировку GP2M002A065HG

GP2M002A065HG Подробное описание

номер части GP2M002A065HG
Статус детали Obsolete
Тип полевого транзистора N-Channel
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) 650V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 1.8A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 8.5nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds 353pF @ 25V
Vgs (Макс.) ±30V
Функция FET -
Рассеиваемая мощность (макс.) 52W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs 4.6 Ohm @ 900mA, 10V
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа Through Hole
Пакет устройств поставщика TO-220
Упаковка / чехол TO-220-3
Вес -
Страна происхождения -

СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ GP2M002A065HG