номер части | GP2M002A065PG |
---|---|
Статус детали | Obsolete |
Тип полевого транзистора | N-Channel |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
Слив к источнику напряжения (Vdss) | 650V |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 1.8A (Tc) |
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) | 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 8.5nC @ 10V |
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | 353pF @ 25V |
Vgs (Макс.) | ±30V |
Функция FET | - |
Рассеиваемая мощность (макс.) | 52W (Tc) |
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | 4.6 Ohm @ 900mA, 10V |
Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Тип монтажа | Through Hole |
Пакет устройств поставщика | I-Pak |
Упаковка / чехол | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Вес | - |
Страна происхождения | - |