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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル › GP2M002A065HG
GP2M002A065HG

GP2M002A065HG - Global Power Technologies Group

品番
GP2M002A065HG
メーカー
Global Power Technologies Group
簡単な説明
MOSFET N-CH 650V 1.8A TO220
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
GP2M002A065HG PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
GP2M002A065HG.pdf
カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
3589 pcs
参考価格
USD 0/pcs
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GP2M002A065HG 詳細な説明

品番 GP2M002A065HG
部品ステータス Obsolete
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss） 650V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 1.8A (Tc)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） 10V
Vgs（th）（Max）@ Id 5V @ 250µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs 8.5nC @ 10V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 353pF @ 25V
Vgs（最大） ±30V
FET機能 -
消費電力（最大） 52W (Tc)
Rds On（Max）@ Id、Vgs 4.6 Ohm @ 900mA, 10V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ TO-220
パッケージ/ケース TO-220-3
重量 -
原産国 -

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画像 品番 メーカー 説明 見る
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