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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - FET, MOSFET - Singoli › GP2M002A065HG
GP2M002A065HG

GP2M002A065HG - Global Power Technologies Group

Numero di parte
GP2M002A065HG
fabbricante
Global Power Technologies Group
Breve descrizione
MOSFET N-CH 650V 1.8A TO220
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
GP2M002A065HG Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica
GP2M002A065HG.pdf
Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
4012 pcs
Prezzo di riferimento
USD 0/pcs
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GP2M002A065HG Descrizione dettagliata

Numero di parte GP2M002A065HG
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 1.8A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.5nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 353pF @ 25V
Vgs (massimo) ±30V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.6 Ohm @ 900mA, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore TO-220
Pacchetto / caso TO-220-3
Peso -
Paese d'origine -

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