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Casa › Categorías de Producto › Productos semiconductores discretos › Transistores - FET, MOSFET - Simple › GP2M002A065HG
GP2M002A065HG

GP2M002A065HG - Global Power Technologies Group

Número de pieza
GP2M002A065HG
Fabricante
Global Power Technologies Group
Breve descripción
MOSFET N-CH 650V 1.8A TO220
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Vista en línea de la hoja de datos
GP2M002A065HG Navegación en línea de PDF
Descargar hoja de datos en PDF
GP2M002A065HG.pdf
Categoría
Transistores - FET, MOSFET - Simple
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
3846 pcs
Precio de referencia
USD 0/pcs
Nuestro precio
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GP2M002A065HG Descripción detallada

Número de pieza GP2M002A065HG
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 650V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 1.8A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 8.5nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 353pF @ 25V
Vgs (Max) ±30V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.6 Ohm @ 900mA, 10V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor TO-220
Paquete / caja TO-220-3
Peso -
País de origen -

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