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Casa › Categorías de Producto › Productos semiconductores discretos › Transistores - FET, MOSFET - Simple › GP2M004A060FG
GP2M004A060FG

GP2M004A060FG - Global Power Technologies Group

Número de pieza
GP2M004A060FG
Fabricante
Global Power Technologies Group
Breve descripción
MOSFET N-CH 600V 4A TO220F
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Vista en línea de la hoja de datos
GP2M004A060FG Navegación en línea de PDF
Descargar hoja de datos en PDF
GP2M004A060FG.pdf
Categoría
Transistores - FET, MOSFET - Simple
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
4229 pcs
Precio de referencia
USD 0/pcs
Nuestro precio
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GP2M004A060FG Descripción detallada

Número de pieza GP2M004A060FG
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 600V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 4A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 545pF @ 25V
Vgs (Max) ±30V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 30.4W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.5 Ohm @ 2A, 10V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor TO-220F
Paquete / caja TO-220-3 Full Pack
Peso -
País de origen -

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Imagen Número de pieza Fabricantes Descripción Ver
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