GB100XCP12-227 - GeneSiC Semiconductor

номер части	GB100XCP12-227
Статус детали	Active
Тип IGBT	PT
конфигурация	Single
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.)	1200V
Ток - коллектор (Ic) (макс.)	100A
Мощность - макс.	-
Vce (вкл.) (Макс.) @ Vge, Ic	2V @ 15V, 100A
Ток - отсечка коллектора (макс.)	1mA
Входная емкость (Cies) @ Vce	8.55nF @ 25V
вход	Standard
Термистор NTC	No
Рабочая Температура	-40°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа	Chassis Mount
Упаковка / чехол	SOT-227-4
Пакет устройств поставщика	SOT-227
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
GB1000008	Diodes Incorporated	CRYSTAL METAL CAN DIP49S TR 1K	подробности
GB1000015	Diodes Incorporated	CRYSTAL 10.0000MHZ 30PF TH	подробности
GB1000017	Diodes Incorporated	CRYSTAL METAL CAN DIP49S TR 1K	подробности
GB100TS60K	IR	GB100TS60K IR SMD or Through Hole New Original Stocks	подробности
GB100XCP12-227	GeneSiC Semiconductor	IGBT 1200V 100A SOT-227	подробности