| номер части | GB1000015 |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип | MHz Crystal |
| частота | 10MHz |
| Стабильность частоты | ±30ppm |
| Допуск частоты | ±30ppm |
| Емкость нагрузки | 30pF |
| ESR (Сопротивление эквивалентной серии) | 40 Ohm |
| Рабочий режим | Fundamental |
| Рабочая Температура | -20°C ~ 70°C |
| Рейтинги | - |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Упаковка / чехол | HC49/US |
| Размер / размер | 0.441" L x 0.197" W (11.20mm x 5.00mm) |
| Высота - сидя (макс.) | 0.138" (3.50mm) |
| Вес | - |
| Страна происхождения | - |
| Образ | номер части | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
 |
GB1000008 | Diodes Incorporated | CRYSTAL METAL CAN DIP49S TR 1K | подробности |
|
GB1000015 | Diodes Incorporated | CRYSTAL 10.0000MHZ 30PF TH | подробности |
|
GB1000017 | Diodes Incorporated | CRYSTAL METAL CAN DIP49S TR 1K | подробности |
 |
GB100TS60K | IR | GB100TS60K IR SMD or Through Hole New Original Stocks | подробности |
 |
GB100XCP12-227 | GeneSiC Semiconductor | IGBT 1200V 100A SOT-227 | подробности |
|
GB1020003 | Diodes Incorporated | CRYSTAL METAL CAN DIP49S TR 1K | подробности |
 |
GB10MPS17-247 | GeneSiC Semiconductor | SIC DIODE 1700V 10A TO-247-2 | подробности |
|
GB10RF60K | ORIGINAL | GB10RF60K ORIGINAL SMD or Through Hole New Original Stocks | подробности |
 |
GB10SLT12-214 | GeneSiC Semiconductor | SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 10A | подробности |
 |
GB10SLT12-220 | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 1200V 10A TO220AC | подробности |
