GB1000015 - Diodes Incorporated

Número de pieza	GB1000015
Estado de la pieza	Active
Tipo	MHz Crystal
Frecuencia	10MHz
Estabilidad de Frecuencia	±30ppm
Tolerancia de frecuencia	±30ppm
Capacidad de carga	30pF
ESR (resistencia de la serie equivalente)	40 Ohm
Modo operativo	Fundamental
Temperatura de funcionamiento	-20°C ~ 70°C
Calificaciones	-
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete / caja	HC49/US
Tamaño / Dimensión	0.441" L x 0.197" W (11.20mm x 5.00mm)
Altura: sentado (máximo)	0.138" (3.50mm)
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
GB1000008	Diodes Incorporated	CRYSTAL METAL CAN DIP49S TR 1K	Detalles
GB1000015	Diodes Incorporated	CRYSTAL 10.0000MHZ 30PF TH	Detalles
GB1000017	Diodes Incorporated	CRYSTAL METAL CAN DIP49S TR 1K	Detalles
GB100TS60K	IR	GB100TS60K IR SMD or Through Hole New Original Stocks	Detalles
GB100XCP12-227	GeneSiC Semiconductor	IGBT 1200V 100A SOT-227	Detalles
GB1020003	Diodes Incorporated	CRYSTAL METAL CAN DIP49S TR 1K	Detalles
GB10MPS17-247	GeneSiC Semiconductor	SIC DIODE 1700V 10A TO-247-2	Detalles
GB10RF60K	ORIGINAL	GB10RF60K ORIGINAL SMD or Through Hole New Original Stocks	Detalles
GB10SLT12-214	GeneSiC Semiconductor	SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 10A	Detalles
GB10SLT12-220	GeneSiC Semiconductor	DIODE SCHOTTKY 1200V 10A TO220AC	Detalles