| Numero di parte | GB1000015 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| genere | MHz Crystal |
| Frequenza | 10MHz |
| Stabilità di frequenza | ±30ppm |
| Tolleranza di frequenza | ±30ppm |
| Capacità di carico | 30pF |
| ESR (Equivalent Series Resistance) | 40 Ohm |
| Modalità operativa | Fundamental |
| temperatura di esercizio | -20°C ~ 70°C |
| Giudizi | - |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / caso | HC49/US |
| Dimensione / Dimensione | 0.441" L x 0.197" W (11.20mm x 5.00mm) |
| Altezza - Seduto (max) | 0.138" (3.50mm) |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
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GB1000008 | Diodes Incorporated | CRYSTAL METAL CAN DIP49S TR 1K | Dettagli |
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GB1000015 | Diodes Incorporated | CRYSTAL 10.0000MHZ 30PF TH | Dettagli |
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GB1000017 | Diodes Incorporated | CRYSTAL METAL CAN DIP49S TR 1K | Dettagli |
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GB100TS60K | IR | GB100TS60K IR SMD or Through Hole New Original Stocks | Dettagli |
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GB100XCP12-227 | GeneSiC Semiconductor | IGBT 1200V 100A SOT-227 | Dettagli |
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GB1020003 | Diodes Incorporated | CRYSTAL METAL CAN DIP49S TR 1K | Dettagli |
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GB10MPS17-247 | GeneSiC Semiconductor | SIC DIODE 1700V 10A TO-247-2 | Dettagli |
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GB10RF60K | ORIGINAL | GB10RF60K ORIGINAL SMD or Through Hole New Original Stocks | Dettagli |
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GB10SLT12-214 | GeneSiC Semiconductor | SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 10A | Dettagli |
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GB10SLT12-220 | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 1200V 10A TO220AC | Dettagli |
