GB100XCP12-227 - GeneSiC Semiconductor

Número de pieza: GB100XCP12-227
Fabricante: GeneSiC Semiconductor
Breve descripción: IGBT 1200V 100A SOT-227
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría: Transistores - IGBT - Módulos
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Cantidad de stock: 67 pcs
Precio de referencia: USD 221.43/pcs
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Número de pieza	GB100XCP12-227
Estado de la pieza	Active
Tipo de IGBT	PT
Configuración	Single
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo)	1200V
Current - Collector (Ic) (Max)	100A
Potencia - Max	-
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic	2V @ 15V, 100A
Corriente - corte de colector (máximo)	1mA
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce	8.55nF @ 25V
Entrada	Standard
Termistor NTC	No
Temperatura de funcionamiento	-40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Chassis Mount
Paquete / caja	SOT-227-4
Paquete de dispositivo del proveedor	SOT-227
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
GB1000008	Diodes Incorporated	CRYSTAL METAL CAN DIP49S TR 1K	Detalles
GB1000015	Diodes Incorporated	CRYSTAL 10.0000MHZ 30PF TH	Detalles
GB1000017	Diodes Incorporated	CRYSTAL METAL CAN DIP49S TR 1K	Detalles
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GB100XCP12-227	GeneSiC Semiconductor	IGBT 1200V 100A SOT-227	Detalles