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Accueil › catégories de produits › Produits à semiconducteurs discrets › Transistors - IGBT - Modules › GB100XCP12-227
GB100XCP12-227

GB100XCP12-227 - GeneSiC Semiconductor

Numéro d'article
GB100XCP12-227
Fabricant
GeneSiC Semiconductor
Brève description
IGBT 1200V 100A SOT-227
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
GB100XCP12-227 Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
GB100XCP12-227.pdf
Catégorie
Transistors - IGBT - Modules
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
67 pcs
Prix ​​de référence
USD 221.43/pcs
Notre prix
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GB100XCP12-227 Description détaillée

Numéro d'article GB100XCP12-227
État de la pièce Active
Type d'IGBT PT
Configuration Single
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 1200V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 100A
Puissance - Max -
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 100A
Courant - Coupure du collecteur (Max) 1mA
Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce 8.55nF @ 25V
Contribution Standard
Thermistance NTC No
Température de fonctionnement -40°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Chassis Mount
Paquet / cas SOT-227-4
Package de périphérique fournisseur SOT-227
Poids -
Pays d'origine -

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