GB100XCP12-227 - GeneSiC Semiconductor

Artikelnummer	GB100XCP12-227
Teilstatus	Active
IGBT-Typ	PT
Aufbau	Single
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)	1200V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max)	100A
Leistung max	-
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic	2V @ 15V, 100A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max)	1mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce	8.55nF @ 25V
Eingang	Standard
NTC-Thermistor	No
Betriebstemperatur	-40°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Chassis Mount
Paket / Fall	SOT-227-4
Lieferantengerätepaket	SOT-227
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
GB1000008	Diodes Incorporated	CRYSTAL METAL CAN DIP49S TR 1K	Einzelheiten
GB1000015	Diodes Incorporated	CRYSTAL 10.0000MHZ 30PF TH	Einzelheiten
GB1000017	Diodes Incorporated	CRYSTAL METAL CAN DIP49S TR 1K	Einzelheiten
GB100TS60K	IR	GB100TS60K IR SMD or Through Hole New Original Stocks	Einzelheiten
GB100XCP12-227	GeneSiC Semiconductor	IGBT 1200V 100A SOT-227	Einzelheiten