DMT6009LFG-7 - Diodes Incorporated

номер части	DMT6009LFG-7
Статус детали	Active
Тип полевого транзистора	N-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	60V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	11A (Ta), 34A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	33.5nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	1925pF @ 30V
Vgs (Макс.)	±16V
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	2.08W (Ta), 19.2W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	10 mOhm @ 13.5A, 10V
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	PowerDI3333-8
Упаковка / чехол	8-PowerWDFN
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
DMT6002LPS-13	Diodes Incorporated	MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI506	подробности
DMT6004LPS-13	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 60V 22A	подробности
DMT6004SCT	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3	подробности
DMT6004SPS-13	Diodes Incorporated	MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI506	подробности
DMT6005LCT	Diodes Incorporated	MOSFET NCH 60V 100A TO220AB	подробности
DMT6005LFG-13	Diodes Incorporated	MOSFET BVDSS 41V-60V POWERDI333	подробности
DMT6005LFG-7	Diodes Incorporated	MOSFET BVDSS 41V-60V POWERDI333	подробности
DMT6005LPS-13	Diodes Incorporated	MOSFET N-CHA 60V 17.9A POWERDI	подробности
DMT6005LSS-13	Diodes Incorporated	MOSFET N-CHA 60V 13.5A SO8	подробности
DMT6007LFG-13	Diodes Incorporated	MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI333	подробности