DMT6005LCT - Diodes Incorporated

номер части	DMT6005LCT
Статус детали	Active
Тип полевого транзистора	N-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	60V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	100A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	47.1nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	2962pF @ 30V
Vgs (Макс.)	±20V
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	2.3W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	6 mOhm @ 20A, 10V
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа	Through Hole
Пакет устройств поставщика	TO-220AB
Упаковка / чехол	TO-220-3
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
DMT6002LPS-13	Diodes Incorporated	MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI506	подробности
DMT6004LPS-13	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 60V 22A	подробности
DMT6004SCT	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3	подробности
DMT6004SPS-13	Diodes Incorporated	MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI506	подробности
DMT6005LCT	Diodes Incorporated	MOSFET NCH 60V 100A TO220AB	подробности
DMT6005LFG-13	Diodes Incorporated	MOSFET BVDSS 41V-60V POWERDI333	подробности
DMT6005LFG-7	Diodes Incorporated	MOSFET BVDSS 41V-60V POWERDI333	подробности
DMT6005LPS-13	Diodes Incorporated	MOSFET N-CHA 60V 17.9A POWERDI	подробности
DMT6005LSS-13	Diodes Incorporated	MOSFET N-CHA 60V 13.5A SO8	подробности
DMT6007LFG-13	Diodes Incorporated	MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI333	подробности