DMT6009LFG-7 - Diodes Incorporated

Numéro d'article	DMT6009LFG-7
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	60V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	11A (Ta), 34A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	33.5nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1925pF @ 30V
Vgs (Max)	±16V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	2.08W (Ta), 19.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	10 mOhm @ 13.5A, 10V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	PowerDI3333-8
Paquet / cas	8-PowerWDFN
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
DMT6002LPS-13	Diodes Incorporated	MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI506	Détails
DMT6004LPS-13	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 60V 22A	Détails
DMT6004SCT	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3	Détails
DMT6004SPS-13	Diodes Incorporated	MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI506	Détails
DMT6005LCT	Diodes Incorporated	MOSFET NCH 60V 100A TO220AB	Détails
DMT6005LFG-13	Diodes Incorporated	MOSFET BVDSS 41V-60V POWERDI333	Détails
DMT6005LFG-7	Diodes Incorporated	MOSFET BVDSS 41V-60V POWERDI333	Détails
DMT6005LPS-13	Diodes Incorporated	MOSFET N-CHA 60V 17.9A POWERDI	Détails
DMT6005LSS-13	Diodes Incorporated	MOSFET N-CHA 60V 13.5A SO8	Détails
DMT6007LFG-13	Diodes Incorporated	MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI333	Détails