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Casa › Categorías de Producto › Productos semiconductores discretos › Transistores - FET, MOSFET - Simple › DMT6009LFG-7
DMT6009LFG-7

DMT6009LFG-7 - Diodes Incorporated

Número de pieza
DMT6009LFG-7
Fabricante
Diodes Incorporated
Breve descripción
MOSFET N-CH 60V 11A
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Vista en línea de la hoja de datos
DMT6009LFG-7 Navegación en línea de PDF
Descargar hoja de datos en PDF
-
Categoría
Transistores - FET, MOSFET - Simple
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
140000 pcs
Precio de referencia
USD 0.483/pcs
Nuestro precio
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DMT6009LFG-7 Descripción detallada

Número de pieza DMT6009LFG-7
Estado de la pieza Active
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 11A (Ta), 34A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 33.5nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1925pF @ 30V
Vgs (Max) ±16V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 2.08W (Ta), 19.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10 mOhm @ 13.5A, 10V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor PowerDI3333-8
Paquete / caja 8-PowerWDFN
Peso -
País de origen -

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Imagen Número de pieza Fabricantes Descripción Ver
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