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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル › DMT6009LFG-7
DMT6009LFG-7

DMT6009LFG-7 - Diodes Incorporated

品番
DMT6009LFG-7
メーカー
Diodes Incorporated
簡単な説明
MOSFET N-CH 60V 11A
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
DMT6009LFG-7 PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
-
カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
140000 pcs
参考価格
USD 0.483/pcs
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DMT6009LFG-7 詳細な説明

品番 DMT6009LFG-7
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss） 60V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 11A (Ta), 34A (Tc)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） 4.5V, 10V
Vgs（th）（Max）@ Id 2V @ 250µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs 33.5nC @ 10V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 1925pF @ 30V
Vgs（最大） ±16V
FET機能 -
消費電力（最大） 2.08W (Ta), 19.2W (Tc)
Rds On（Max）@ Id、Vgs 10 mOhm @ 13.5A, 10V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ PowerDI3333-8
パッケージ/ケース 8-PowerWDFN
重量 -
原産国 -

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