DMP1011UCB9-7 - Diodes Incorporated

номер части	DMP1011UCB9-7
Статус детали	Active
Тип полевого транзистора	P-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	8V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	10A (Ta)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.)	2.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.1V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	10.5nC @ 4.5V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	1060pF @ 4V
Vgs (Макс.)	-6V
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	890mW (Ta)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	10 mOhm @ 2A, 4.5V
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	U-WLB1515-9
Упаковка / чехол	9-UFBGA, WLBGA
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
DMP1005UFDF-13	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 12V 26A UDFN2020-6	подробности
DMP1005UFDF-7	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 12V 26A UDFN2020-6	подробности
DMP1009UFDF-13	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 12V 15A UDFN2020-6	подробности
DMP1009UFDF-7	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 12V 15A UDFN2020-6	подробности
DMP1011LFV-13	Diodes Incorporated	MOSFET BVDSS: 8V 24V POWERDI3333	подробности
DMP1011LFV-7	Diodes Incorporated	MOSFET BVDSS: 8V 24V POWERDI3333	подробности
DMP1011UCB9-7	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 8V 10A U-WLB1515-9	подробности
DMP1012UCB9-7	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 8V 10A	подробности
DMP1012UFDF-13	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 12V U-DFN2020-6	подробности
DMP1012UFDF-7	Diodes Incorporated	MOSFET BVDSS 8V 24V U-DFN2020-6	подробности