DMP1009UFDF-7 - Diodes Incorporated

номер части	DMP1009UFDF-7
Статус детали	Active
Тип полевого транзистора	P-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	12V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	15A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	11 mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	44nC @ 8V
Vgs (Макс.)	±8V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	1860pF @ 10V
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	2W (Ta)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	U-DFN2020-6 (Type F)
Упаковка / чехол	6-UDFN Exposed Pad
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
DMP1005UFDF-13	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 12V 26A UDFN2020-6	подробности
DMP1005UFDF-7	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 12V 26A UDFN2020-6	подробности
DMP1009UFDF-13	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 12V 15A UDFN2020-6	подробности
DMP1009UFDF-7	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 12V 15A UDFN2020-6	подробности
DMP1011LFV-13	Diodes Incorporated	MOSFET BVDSS: 8V 24V POWERDI3333	подробности
DMP1011LFV-7	Diodes Incorporated	MOSFET BVDSS: 8V 24V POWERDI3333	подробности
DMP1011UCB9-7	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 8V 10A U-WLB1515-9	подробности
DMP1012UCB9-7	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 8V 10A	подробности
DMP1012UFDF-13	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 12V U-DFN2020-6	подробности
DMP1012UFDF-7	Diodes Incorporated	MOSFET BVDSS 8V 24V U-DFN2020-6	подробности